Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
arséniure de gallium-aluminium — galio aliuminio arsenidas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium aluminum arsenide vok. Gallium Aluminium Arsenid, n rus. арсенид галлия и алюминия, m pranc. arséniure de gallium aluminium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
gallium-aluminum arsenide — galio aliuminio arsenidas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium aluminum arsenide vok. Gallium Aluminium Arsenid, n rus. арсенид галлия и алюминия, m pranc. arséniure de gallium aluminium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Aluminium-Gallium-Arsenid — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… … Deutsch Wikipedia
galio-aliuminio arsenidas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium aluminum arsenide vok. Gallium Aluminium Arsenid, n rus. арсенид галлия и алюминия, m pranc. arséniure de gallium aluminium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
арсенид галлия и алюминия — galio aliuminio arsenidas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium aluminum arsenide vok. Gallium Aluminium Arsenid, n rus. арсенид галлия и алюминия, m pranc. arséniure de gallium aluminium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
AlGaAs — Aluminium Gallium Arsenid dotierte Legierung für Halbleiter … Acronyms
AlGaAs — Aluminium Gallium Arsenid dotierte Legierung für Halbleiter … Acronyms von A bis Z
HEMT — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… … Deutsch Wikipedia
High Electron Mobility Transistor — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… … Deutsch Wikipedia
Degradation (Technik) — Eine Solarzelle oder photovoltaische Zelle ist ein elektrisches Bauelement, das die im Licht (in der Regel Sonnenlicht) enthaltene Strahlungsenergie direkt in elektrische Energie wandelt. Die physikalische Grundlage der Umwandlung ist der… … Deutsch Wikipedia
